华盛(a)CuAu1%和CuAu30%制备示意图。
这里展示的数据和趋势共同说明了物理学和相应的设计原则的有效性,顿特的故引导了多组分ZrO2组合物的快速发展,其滞后低达创纪录的15K。常见的形状记忆材料包括形状记忆合金、区机形状记忆高分子和形状记忆陶瓷等。
场售(b)ZrO2基形状记忆陶瓷中测量的热迟滞的对比。华盛相关研究成果以Low-hysteresisshape-memoryceramicsdesignedbymultimodemodelling为题发表在国际知名期刊Nature上。其结果是一种新的ZrO2组合物,顿特的故具有15K的迟滞回量记录,与典型值相比,这是大约10倍的转化滞回量(大约是目前报道的最佳值的5倍)。
区机原文详情:Low-hysteresisshape-memoryceramicsdesignedbymultimodemodelling(Nature,2022,610,491–495)本文由大兵哥供稿。这些发现,场售不仅解锁了一种新的和独特的智能材料的高度可逆转化,而且还预示了设计马氏体陶瓷的量身定制滞后和相变温度优化的特定操作环境。
华盛(d)使用模型输入对形状记忆特性的预测。
(c-d)测量的Ms、顿特的故迟滞变化、λ2和ΔV/V并与预测值对比。区机c1-c2SEM和相应的EBSD图像显示ε=0时未变形α纳米沉淀的构型。
一、场售导读长期以来,如何突破材料的强塑性是材料学界的重大难题。华盛aHLS-0.43β-Ti合金断口形貌。
顿特的故另外一种是构建异质结构。hHR-TEM图像显示β/α″界面,区机如白线所示。
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